FDS8962C
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDS8962C |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | P-CHANNEL POWER MOSFET |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 7A, 10V |
Leistung - max | 900mW |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 575pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A, 5A |
Konfiguration | N and P-Channel |
Grundproduktnummer | FDS89 |
FDS8962C Einzelheiten PDF [English] | FDS8962C PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDS8962CFairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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